Investimento na Novel Crystal Technology buscará desenvolver wafers de óxido de gálio para semicondutores de alta potência com maior eficiência energética e menor dissipação de energia.
A Mitsubishi Electric Corporation anunciou participação acionária na Novel Crystal Technology, Inc., uma empresa japonesa que desenvolve e vende wafers de óxido de gálio, promissor material para uso em semicondutores de alta potência com maior eficiência energética. A nova tecnologia pode impulsionar a descarbonização global e a Mitsubishi Electric irá desenvolver esses semicondutores de quarta geração em ritmo acelerado.
Fundada em 2015, a Novel Crystal Technology desenvolve, fabrica e comercializa wafers de óxido de gálio para semicondutores de potência. Atualmente, a empresa possui tecnologia de fabricação que a Mitsubishi Electric usará em sua produção de semicondutores de potência de óxido de gálio.
A Mitsubishi Electric contribui para a economia de energia em produtos eletrônicos de potência, por meio de semicondutores feitos de silício e carboneto de silício (SiC). Recentes avanços foram alcançados com wafers de SiC e nitreto de gálio, mas a expectativa é que os semicondutores produzidos com óxido de gálio ajudem a atingir tensões de ruptura ainda mais altas e menor dissipação de energia. A empresa quer também acelerar o desenvolvimento de semicondutores de óxido de gálio com maior eficiência energética, ao combinar a própria experiência no projeto e fabricação de semicondutores de alta confiabilidade e baixa perda de energia com a experiência da Novel Crystal Technology na produção de wafers de óxido de gálio.
